삼성전자가 질화갈륨(GaN) 화합물반도체 대대적인 투자에 나서고 있는 가운데 시지트로닉스가 한국나노기술원과 함께 최초로 GaN 전력반도체 모드(E-mode) 소자 최초 구현 했다는 소식에 상승세다.
21일 오후 1시 10분 현재 시지트로닉스는 전일대비 1540원(7.85%) 상승한 2만1150원에 거래 중이다.
이 날 한국나노기술원은 차세대 전력
미국 실리콘밸리서 '삼성 파운드리 포럼 2023' 개최2025년 2나노 첫 양산, 2026년 HPC, 2027년 전장향 확대8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스 2025년 시작올해 하반기, 평택 3라인에서 파운드리 제품 본격 양산파트너사 등과 MDI 얼라이언스, 비욘드 무어 시대 주도
삼성전자가 2025년 양산을 시작하는 2나노(㎚·1나노=10억 분의
코스텍시스가 삼성전자, SK실트론 등 반도체 제조사들의 차세대반도체 SiC(실리콘카바이드) 투자 소식에 상승세다.
5일 오후 1시 3분 현재 코스텍시스는 전 거래일 대비 10.30% 오른 3320원에 거래되고 있다.
SK그룹 계열사 SK실트론은 주력으로 공급 중인 150mm(6인치) SiC 웨이퍼 제품 외에 2024년 하반기 양산을 목표로 200㎜(8
파워넷이 프랑스의 차세대 전력 반도체 분야 전문 업체인 와이즈인티그레이션(Wise Integration)과 양해각서(MOU)를 체결하고 전략적으로 기술협업을 진행한다고 6일 밝혔다.
와이즈인티그레이션이 생산하는 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN(질화갈륨)은 Si(실리콘) 반도체의 물리적 한계를 극복함으로써 시스템의 초고속 스위칭구현으로 전력 절감과
코스텍시스가 합병 상장을 위한 주주총회에서 교보10호기업인수목적 주식회사와 합병 안건이 승인됐다고 15일 밝혔다.
코스텍시스는 지난해 12월 상장심사 승인을 받은 후 합병 절차를 거쳐왔다. 주주총회에서 합병승인이 통과돼 남은 합병 절차를 마무리하고 오는 4월 코스닥 시장에 상장한다. 주식매수청구권 행사 기간은 3월 8일까지다.
저열팽창 고방열 소재
코스텍시스가 합병 상장을 위한 주주총회에서 교보10호기업인수목적 주식회사와 합병 안건이 승인됐다고 15일 밝혔다.
코스텍시스는 지난해 12월 상장심사 승인을 받은 후 합병 절차를 거쳐왔다. 주주총회에서 합병승인이 통과돼 남은 합병 절차를 마무리하고 오는 4월 코스닥 시장에 상장한다. 주식매수청구권 행사 기간은 다음달 8일까지다.
저열팽창 고방열 소재
파운드리-팹리스 간 시너지 기대 GaN 전력반도체 시장 진입 가속
DB하이텍이 에이프로세미콘과 ‘GaN(질화갈륨) 전력반도체’ 개발에 나선다. 이번 협력으로 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 DB하이텍은 팹리스(반도체 설계) 회사인 에이프로세미콘와 시너지 효과를 기대하고 있다.
DB하이텍은 경기도 군포시에 있는 에이프로 본사에서 성공적인 파운드리
캐나다 갠시스템스와 MOU 체결GaN 제품 개발 및 시장 확대 가속
알에프세미가 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품 개발에 속도를 내며 시장 공략에 나선다.
알에프세미는 캐나다 갠시스템스(GaN Systems)와 업무협약(MOU)를 체결했다고 5일 밝혔다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 갠시스템스의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발 및
이번 주(1월 3~7일) 코스닥 지수는 전주 대비 3.75%(38.82포인트) 떨어진 1033.98로 마감했다. 투자자별로 개인이 홀로 1조7886억 원을 순매수했고 외국인과 기관이 각각 8067억 원, 9410억 원을 팔아치웠다.
광진실업, 안철수 지지율 상승세에 61.44% ‘급등’
7일 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 한 주간 코스닥 시장에서
반도체 소자 전문 기업인 알에프세미가 5일 세계 최대 ITㆍ가전 전시회 CES 2022에서 미국 살균램프 전문 기업 제너스바이오(Ghenus Bio)와 함께 Far UVC 램프 및 GaN 전력반도체를 장착한 콘벌브 LED 램프를 선보인다.
알에프세미의 Far UVC 램프는 일반적인 살균기에 사용되는 UVC 보다 파장이 짧아, 높은 살균력을 갖고 있으며
SKC는 전날 이사회에서 부결된 넥시온과 합작법인 투자 건을 다음 이사회에서 의결할 예정이라는 언론 보도에 대해 "이사회 재상정은 현재까지 검토하고 있지 않다"고 30일 공시했다.
이어 "차세대 음극재 사업 진입을 계속해서 추진할 예정"이라며 "GaN 전력반도체 시장 진출은 현재까지 검토하고 있지 않다"고 설명했다.
실리콘 카바이드(SiC), 갈륨나이트라이드(GaN) 등 화합물을 활용한 ‘차세대 전력반도체’ 생태계가 국내에서도 개화 단계에 접어들었다. 팹리스(Fabless)부터 파운드리, 중소 소부장(소재·부품·장비)기업, 반도체 원재료인 웨이퍼 제조사까지 차세대 전력반도체 시장의 가능성을 크게 보고 진출을 타진하고 있다.
28일 이투데이 취재결과 LX그룹 산하의
에이티세미콘이 이동 통신 분야에서 확장 추세에 있는 GaN 전력반도체의 패키징 기술 개발에 성공했다.
반도체 패키징 및 테스트 전문기업 에이티세미콘은 독자적인 매칭 기술과 패키지 기술을 적용해 열 방출이 우수하고 소자 효율과 성능을 향상 시킨 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 반도체 S대역(3GHz)과 X대역(9GHz) 패키지를 개발했다고 13일 밝혔다.
한국전자통신연구원(ETRI)은 지난 8일 오전(러시아 현지 시간) 러시아 상트페테르부르크 Ioffe 연구소 회의실에서 'GaN 반도체'로 대표되는 화합물 반도체 기반 '통신 소자 및 전력 소자 기술'과 차세대 조명 광원으로 떠오르는 'LED 및 광전소자 기술'의 상호 협력 연구를 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 10일 밝혔다.
GaN 전력반도체는