위기의 삼성 파운드리…TSMC와 초격차 전략, 성공할 수 있을까

▲삼성전자 파운드리사업부 관게자들이 화성캠퍼스 3나노 양산라인에서 3나노 웨이퍼를 보여주고 있다. (자료제공=삼성전자)

대만 TSMC와 삼성전자간 파운드리 시장 점유율 격차가 커지고 있다. 삼성전자는 다음 주 진행되는 글로벌 전략회의에서 초격차를 위한 구체적인 방안을 강구하고, 본격적인 TSMC 따라잡기에 나설 계획이다.

8일 삼성전자에 따르면 다음 주 글로벌 전략회의를 열고 주요 임직원들이 모여 내년도 삼성전자의 사업 목표와 전략을 논의한다. 14일 디바이스경험(DX) 부문과 모바일경험(MX) 부문을 시작으로, △15일 영상디스플레이(VD), 생활가전사업부 △19일 반도체(DS) 부문 순으로 열린다.

파운드리 부문은 19일 경계현 DS부문장 사장 주재 아래 회의를 진행할 예정이다. 삼성전자는 그간 회의 방식을 온라인과 오프라인 모두 병행해왔다. 그러나 올해 DS 부문은 실적 부진 등으로 책임과 역할이 커지면서 오프라인으로만 진행할 것으로 알려졌다. 이번 인사에서 유임된 최시영 파운드리사업부장 사장도 참석해 파운드리 사업 초격차를 위한 구체적인 목표와 전략을 세운다.

삼성전자 관계자는 “삼성 파운드리 주요 임직원들이 직접 모여 실적을 점검하고, 내년 영업 방향과 세일즈 전략을 논의할 예정”이라고 설명했다.

삼성전자에겐 최근 실적 하락을 타개하기 위해서 내년도 사업 전략이 굉장히 중요하다. 정확한 실적 수치를 공개하지 않았으나, 삼성 파운드리 3분기 실적은 라인 가동률 저하 등으로 부진이 이어졌다.

TSMC와의 시장 점유율 차이도 벌어지고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 TSMC 시장 점유율은 57.9%로, 삼성전자(12.4%)와의 격차가 45.5%포인트(p)로 나타났다. 양사의 2분기 격차(44.7%p)보다 더 확대됐다.

삼성전자는 일찍이 지난해 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 신기술을 적용한 3나노미터(nm·10억 분의 1ｍ) 양산을 시작했지만, 아직 시장에서 충분한 검증을 받지 못한 것으로 해석되는 대목이다. GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다.

업계에 따르면 퀄컴은 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 스냅드래곤8 4세대를 TSMC의 2세대 3나노(N3E) 공정을 통해서만 생산할 것으로 알려졌다. 미디어텍 역시 최신 AP 디멘시티9400 생산에 TSMC를 점찍었다. 삼성전자 관계자는 “3나노 공정 관련 구체적인 고객사 정보는 밝힐 수 없다”고 말했다.

전문가들은 TSMC처럼 고객 확대를 위한 맞춤형 전략을 고려할 필요가 있다고 했다.

한 업계 전문가는 “TSMC는 옛 레거시 공정부터 최근 공정까지 서비스하고 있기 때문에 많은 업체가 찾고 있다”며 “삼성전자도 비록 큰 시장은 아니지만 레거시 공정도 신경써서 키워나가는 노력이 필요하다”고 말했다.

경계현 사장은 5월 한국과학기술원(KAIST) 강연에서 “삼성전자 파운드리 기술력이 TSMC보다 1~2년 뒤처져있다”면서도 “5년 안에 앞설 수 있다”고 말한 바 있다.