"최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 상용화 코앞"…SK하이닉스, 퀄컴과 성능 검증 완료

▲ SK하이닉스의 모바일용 D램 'LPDDR5T' (자료제공=SK하이닉스)

SK하이닉스의 세계 최고속 모바일용 D램인 'LPDDR5T'가 본격적으로 상용화될 전망이다.

25일 SK하이닉스에 따르면 최근 LPDDR5T가 미국 퀄컴 테크놀로지(이하 퀄컴)로부터 최신 '스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼'에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다. LPDDR5T는 현존하는 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)를 구현한 신제품이다.

LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격을 말한다. 전력 소모량을 줄인 저전압(LP) 제품이다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 높인 제품이다.

SK하이닉스는 1월 LPDDR5T 개발을 완료한 직후부터 협력 파트너 회사인 퀄컴과 호환성 검증 작업을 진행해 왔다. 양사는 LPDDR5T와 퀄컴의 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼이 결합된 스마트폰에서 두 제품 모두 우수한 성능을 발휘한다는 결과를 도출했다.

SK하이닉스 관계자는 “퀄컴을 비롯한 주요 모바일 AP 기업들로부터 성능 검증을 마친 만큼, 앞으로 LPDDR5T가 모바일 기기에 적용되는 범위는 급속히 넓어질 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 만든 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품을 고객에게 공급할 예정이다. 이 패키지의 데이터 처리 속도는 1초당 77GB다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동해 전력소모 측면에서도 좋다는 평가다.

SK하이닉스는 제품 개발 과정에서 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 속도와 전력효율성 모두에서 성능을 높일 수 있었다. HKMG 공정은 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다는 장점이 있다. SK하이닉스는 지난해 11월 이 공정을 모바일 D램에 세계 최초로 도입했다.

지아드 아즈가 퀄컴 수석 부사장은 “스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 AI 기반의 대규모 언어 모델(LLM)과 대규모 시각 모델(LVM)을 저전력에서 지연 없이 구동시킨다”며 “스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 최고속 모바일 D램이 결합해 스마트폰 사용자들이 놀라운 AI 기능을 경험할 수 있게 될 것”이라고 말했다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 “앞으로 스마트폰은 AI 기술이 구현되는 핵심 기기로 성장할 것으로 전망되며, 이를 위해서는 모바일용 D램을 통해 스마트폰 성능이 계속해서 향상돼야 한다”며 “당사는 퀄컴과의 협력을 지속 강화해 이 분야 기술력을 높여가도록 노력하겠다”고 했다.