SK하이닉스는 26일 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 "하반기 핀(Pin)당 데이터 전송률 8.0Gbps의 HBM3E를 개발해 내년 상반기 양산할 계획"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 최근 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다.
SK하이닉스는 26일 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 "하반기 핀(Pin)당 데이터 전송률 8.0Gbps의 HBM3E를 개발해 내년 상반기 양산할 계획"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 최근 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다.
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