인텔 ‘듀얼밴더’ 전략의 수혜자 누굴까

삼성, 인텔 사우스브리지 수주…위탁생산 품목 놓고 TSMC와 물밑 경쟁 ‘치열’

인텔의 ‘듀얼 밴더’(자체 생산과 외부 파운드리 모두 활용) 전략의 최종 수혜자는 누가 될까.

계약을 맺은 파운드리 업체가 어딘지 공식적으로 언급하지 않았지만, 업계에선 공정 개발 기간인 최소 2~3년 동안은 대만 TSMC와 삼성전자 수주 물량이 늘어날 것이라는 시각이 지배적이다.

다만 어떤 품목을 얼마나 수주할지는 각 파운드리 업체가 내세우는 전략에 따라 달라질 것으로 예상된다. TSMC는 ‘고객과 경쟁하지 않는다’라는 기치를 중심으로 공격적인 투자에 나서고 있는 가운데, 삼성전자는 3nm(나노미터=1억 분의 1ｍ) 기술 선점을 시도하며 맞서고 있다.

인텔과 접점 늘려가는 파운드리 양강

(연합뉴스)

24일 업계에 따르면 삼성전자와 TSMC 등 파운드리 업체들은 인텔과 위탁생산 논의를 활발하게 진행하고 있다.

일부 품목에 대해선 구체적인 수주 논의도 진행되고 있다. 삼성전자는 최근 미국 텍사스 오스틴 공장을 통해 인텔의 사우스브리지로 불리는 PC 메인보드 칩셋 생산을 수주한 것으로 알려졌다. PC 메인보드에서 USB나 오디오 등 컴퓨터의 입ㆍ출력 기능을 관장하는 제품이다.

미국 현지 언론에 보도된 GPU(그래픽처리장치) 수주설은 사실이 아닐 가능성이 크다. 오스틴 공장의 경우 14나노 공정으로 제품을 생산하는데, 인텔 GPU 중에선 해당 공정으로 제조되는 제품이 없다.

인텔, 자체생산 유지는 하지만…“위탁생산 늘 수밖에 없어”

▲인텔이 2월 15일자로 겔싱어 차기 CEO를 선임한다고 13일(현지시간) 밝혔다. 로이터/연합뉴스

업계에서도 인텔이 CPU(중앙처리장치)나 일부 GPU 등 핵심 부품에 대해선 한동안 자체생산 끈을 놓지 않을 것이라고 분석한다. 이는 21일 열린 4분기 실적 콘퍼런스 콜에서 인텔이 보인 태도에서도 드러난다.

다음 달 취임 예정인 인텔의 팻 겔싱어 차기 최고경영자(CEO)는 콘퍼런스 콜에서 “2023년 7나노미터 제품 대부분이 내부에서 제조될 것이라고 확신한다”라고 강조했다.

안기현 반도체산업협회 상무는 “기본적으로는 반도체 설계와 공정을 모두 갖춘 회사가 의사소통, 기술개발 면에서 유리한 건 맞는다”라며 “경쟁자인 AMD가 먼저 전량 파운드리 생산에 맞춰 설계 체제를 구축해놓은 상태인데, 인텔 처지에선 자체생산 기조를 놓아버리면 경쟁에서 굉장히 불리한 위치가 되는 것”이라고 설명했다.

다만 인텔이 자체생산을 위한 기반을 마련하는 동안, 삼성전자와 TSMC는 인텔향 물량에 따른 수혜를 볼 것으로 관측된다.

현재는 비주력품목 수주에 그쳤지만, 향후 CPU·GPU 일부 물량은 첨단 공정 위탁생산이 불가피한 상황이다. 인텔의 적수 엔비디아와 AMD 등이 7nm 공정에서 생산된 그래픽칩세트를 시장에 내놓고 있는 상황에서, 인텔만 10nm 공정을 고집할 수 없기 때문이다.

겔싱어 CEO 역시 “포트폴리오 확장을 고려할 때 특정 기술 및 제품에 대한 외부 파운드리를 확대할 가능성이 크다”며 파운드리 활용 가능성에 대해선 열린 태도를 보였다.

업계 관계자는 “공정개발 예상 시간이 최소 3년인데, 이 기간엔 위탁 생산밖에 수가 없다”라며 “가격협상이나 물량 확보를 위해 삼성과 TSMC 두 곳과 모두 계약을 맺을 것”이라고 말했다. 송명섭 하이투자증권 연구원도 "시장 일부의 지나친 기대감은 다소 경계할 필요가 있지만, TSMC와 삼성전자에 대한 수혜가 발생할 것이라는 점에는 변화가 없다"고 했다.

첨단공정에선 TSMC 유리…삼성전자, 투자로 추월할까

▲삼성전자 미국 오스틴 법인 (출처=삼성전자 뉴스룸)

다만 현재 상황에선 첨단공정 제조 물량을 먼저 맡는 곳은 TSMC일 것이라는 분석이 많다. 송 연구원은 "5나노까지는 우선 TSMC에 먼저 가고, 삼성전자에도 긍정적 영향이 미치는 상황이 이어질 것"이라고 분석했다.

다만 3나노급부터는 반전의 여지가 있다고 봤다. GAA(게이트올어라운드) 등 신기술 개발 성과, 수율 개선 노력, 후공정 경쟁력 격차 축소 여부에 따라 삼성전자가 TSMC 대비 시장 점유율 등 측면에서 강세로 전환될 가능성도 존재한다는 것이다.

실제로 삼성전자는 TSMC를 따라잡기 위한 투자에 매진하고 있다. 최근 블룸버그에선 삼성전자가 3나노 공정을 증설하기 위해 미국 텍사스주에 100억 달러(11조 원) 투자를 고려 중이라는 보도가 나오기도 했다.

보도에 따르면 2022년부터 주요 장비를 설치하고, 이르면 2023년 가동하는 것을 목표로 삼은 것으로 알려졌다. 2024년까지 미국 애리조나에 5나노 공정 팹을 설립 중인 TSMC를 따라잡을 발판을 마련하는 셈이다. 다만 삼성전자 측은 “아직 확실히 결정된 바 없다”라는 입장을 내놨다.