상반기 반도체 업황 개선이 하반기에도 지속될 것으로 전망되는 가운데 삼성전자가 고부가 제품 중심으로 생산을 전환해 경영 개선에 속도를 낸다.
삼성전자는 지난해 실적 악화에도 불구하고 연간 기준 사상 최대 연구개발(R&D) 투자와 시설투자를 집행하며 미래성장 준비에 주력했다. 지난해 R&D 투자액 28조3400억 원은 영업이익 6조5700억 원의 4배가 넘는 규모다.
삼성전자는 하반기 고대역폭 메모리(HBM), 더블 데이터레이트(DDR)5, 고용량 솔리드스테이트 드라이브(SSD) 등 서버 및 스토리지 관련 제품 중심으로 생산을 전환한다.
HBM의 경우, 성장하는 생성형 인공지능(AI)향 수요 대응을 위해 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 예정이다. 업계 내 고용량 제품에 대한 니즈 증가세에 발맞춰 업계 최초 개발한 HBM3E 12단 제품의 램프 업 또한 가속할 계획이다.
낸드 또한 AI향 수요 성장 속 V8 기반 5세대(Gen5) SSD와 고용량 V7 쿼드러플레벨셀(QLC) SSD 등 서버향 고부가가치 제품 수요에 적극 대응 수익성을 개선해나갈 예정이다. V9의 경우, 2분기 업계 최초 트리플레벨셀(TLC) 양산에 이어, 3분기 QLC도 양산 전개해 기술 리더십을 더욱 높일 계획이다.
차세대 메모리로 주목받는 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 개발에도 박차를 가한다. CXL은 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 스토리지 등의 다양한 장치를 효율적으로 연결해 더욱 빠른 연산 처리를 가능하게 하는 차세대 인터페이스다.
삼성전자는 2021년 5월 업계 최초 CXL 기반 D램 제품 개발을 시작으로, 업계 최고 용량 512GB CMM-D 개발, 업계 최초 CMM-D 2.0 개발 등에 성공하며 업계를 선도하고 있다. 올해 2분기 CXL 2.0을 지원하는 256GB CMM-D 제품을 출시하고, 주요 고객사들과 검증을 진행하고 있다.