SK하이닉스, '10나노급 5세대 DDR5' 세계 첫 인텔 호환성 검증 돌입

DDR5 최고 동작속도 ‘HKMG’ 공정 통해 초저전력 구현
1b 공정 내년 상반기 LPDDR5T, HBM3E 등 적용 확대
“최선단 1b나노 양산 시작…하반기 실적 개선 가속화”

▲SK하이닉스 1b DDR5 서버용 64기가바이트 D램 모듈 (제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 차세대 메모리 반도체인 DDR5 시장 선점을 위해 적극적으로 나섰다.

SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술을 적용한 서버용 DDR5가 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램’ 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

이 프로그램은 세계 서버용 CPU 시장의 80% 이상을 점유한 인텔의 서버용 플랫폼인 '제온 스케일러블'(Intel® Xeon® Scalable platform)에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다.

SK하이닉스가 이번에 인텔에 제공한 DDR5는 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로 현재 시장에 나온 제품 중 가장 빠르다. DDR5 초창기 시제품(4.8Gbps)보다 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다.

SK하이닉스는 이번 1b DDR5에 'HKMG'(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다. SK하이닉스는 지난해 11월 모바일 D램에서 HKMG 공정을 세계 최초로 도입한 8.5Gbps LPDDR5X를 출시했으며, 올해 1월에는 9.6Gbps LPDDR5T 모바일 D램에도 HKMG 공정을 적용했다.

SK하이닉스는 "1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비(일정 전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량)를 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것"이라고 강조했다.

SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM개발담당)은 "이번 제품에 앞서 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증 받았다"며 "이번 1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다"고 말했다.

이어 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라며 “내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E(5세대 고대역폭메모리)로도 확대 적용할 것"이라고 밝혔다.

인텔 디미트리오스 지아카스 메모리I/O기술부문 부사장은 "DDR5와 인텔 플랫폼의 호환성 검증을 위해 메모리 업계와 밀접하게 협업하고 있다"며 "SK하이닉스의 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것"이라고 했다.

한편 SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다