삼성·SK하이닉스 ‘HBM’ 개발 힘쏟는 이유는?

삼성전자와 SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 생산량 높이기에 나섰다. HBM은 일반 D램보다 정보처리속도가 빨라 수요가 많고, 가격경쟁력도 높다.

7일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 올해 안에 2세대 HBM2를 양산할 전망이다. HBM은 3차원 적충 기술인 실리콘관통적극(TSV)를 활용해 D램을 수직으로 쌓은 메모리를 말한다, SK하이닉스는 올 초 열린 콘퍼런스콜에서 “올해 속도를 향상한 HBM 2세대 제품 개발을 완료, 상반기 고객 인증하고 하반기 본격 대량 양산을 시작하겠다”고 밝힌 바 있다.

HBM 개발, 양산에선 SK하이닉스가 선구자 역할을 했다. SK하이닉스는 2013년 HBM을 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2014’에서 최초 공개했다. 2015년엔 이를 양산하기 시작하면서 미국 반도체 기업인 AMD와 엔비디아에 공급했다.

이후엔 삼성전자가 HBM 개발에 앞서는 양상을 보였다. 삼성전자는 2016년 기존 HBM보다 2배 빠른 속도로 정보를 처리하는 HBM2를 생산했고, 올해 1월부턴 2세대 HBM2를 양산하기 시작했다. 현재 2세대 HBM2를 생산하는 업체는 삼성전자가 유일하다.

두 회사가 HBM 개발 및 양산에 적극적으로 나선 배경에는 높은 수익성이 있다. HBM은 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 5%에 불과할 정도로 시장 규모가 크지 않다. 하지만 기존 D램과 비교해봤을 때 빠른 속도를 제공해, 슈퍼컴퓨터, 초고해상도 그래픽카드 등에 사용이 적합하다. AI(인공지능), 머신러닝 개발엔 필수적으로 HBM이 필요하다. 특히 HBM은 고부가가치제품인 만큼 일반 D램보다 평균적으로 3~5배가량 가격이 비싸다.

HBM 수요 증가로 인해 업계 및 증권가는 양사가 내년 HBM 생산을 올해보다 늘릴 것으로 예상하고 있다. 신한금융투자 최도연 애널리스트는 보고서를 통해 “삼성전자가 D램 공정에서 HBM을 생산하는 TSV공정 비중을 2019년 연말까지 10%로 늘리고, SK하이닉스도 같은 기간 20%까지 비중을 높인다”고 전망했다.

업계 관계자는 “HBM 생산량 추이를 현시점에 정확히 밝히기는 어렵다”면서 “다만 AI를 개발할 때 고부가가치 제품은 필요한만큼, HBM 생산량을 늘릴 가능성은 크다”고 말했다.