반도체 불황 신무기… 삼성 ‘18나노 D램’ㆍ하이닉스 ‘3D 낸드’

삼성전자, 올해 ‘18나노 D램ㆍ64단 V낸드ㆍ10나노 핀펫’ 목표

삼성전자와 SK하이닉스가 미세공정으로 메모리반도체 가격 약세에 대응한다. D램과 낸드플래시 등 글로벌 메모리반도체 수요절벽이 지속되고 있는 가운데 비용절감을 통해 수익성을 극대화하려는 전략이다.

2일 업계에 따르면 삼성전자는 올 상반기 18나노 D램 양산에 돌입한다. 10나노급 미세공정 기술은 이미 확보한 상태로, 시장 상황을 고려해 양산 시기를 저울질하고 있는 것으로 알려졌다.

2014년 세계 최초로 20나노 D램 양산에 성공한 삼성전자는 10나노급 D램 양산도 가장 먼저 시작하며 D램 시장 리더 자리를 더욱 공고히 할 계획이다. 공정이 미세해질수록 같은 비용으로 고성능 제품을 더 많이 생산할 수 있다. 이에 지금과 같은 수요·가격 침체기에 미세공정 전환을 통해 수익성을 극대화한다는 복안이다.

경쟁사 SK하이닉스는 지난해 3분기 20나노 초반 D램 양산을 시작했고 미국 마이크론은 20나노 중반대에서 20나노 초반대로의 공정전환에 힘쓰고 있다.

삼성전자의 올해 반도체 부문 목표는 18나노 D램 양산과 64단 V낸드 양산, 10나노 핀펫 공정 도입 등 3가지다. 현재까지 업계에서 V낸드를 양산하고 있는 업체는 삼성전자가 유일하다. 2014년 8월 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한 지 1년만인 지난해 8월 3세대(48단) 3비트 V낸드를 양산한 삼성전자는 3차원 메모리 기술리더십을 확고히 했다.

시스템반도체에서도 10나노 핀펫 공정으로 기술 격차를 벌린다. 삼성전자는 지난해 1월 세계 최초로 14나노 핀펫 공정을 적용한 자체 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) ‘엑시노스 7 옥타’를 양산한데 이어 올해는 14나노 2세대 핀펫 공정으로 ‘엑시노트 8 옥타’와 퀄컴 ‘스냅드래곤 820’ 등을 양산한다. 세계 유일의 10나노대 공정 기술을 보유한 삼성전자는 연내 10나노 핀펫 공정 도입을 목표로 하고 있다.

SK하이닉스도 세계 두 번째로 3D 낸드(36단) 양산을 시작하며 낸드 경쟁력 강화에 나섰다. 올해 말까지 48단 3D 낸드 개발을 완료하고 양산도 시작할 계획이다. SK하이닉스는 글로벌 낸드 시장에서 삼성전자와 도시바, 샌디스크, 마이크론에 이어 5위에 머물고 있다. 글로벌 2위 D램 시장에서는 올 하반기까지 20나노 초반 D램 비중을 절반 이상까지 확대할 예정이다.