삼성전자가 세계 최초로 차세대 기술을 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1m) 제품을 개발하고 양산품을 공개했다. 정부는 3나노 반도체 양산을 두고 앞으로 국내 시장 수요를 늘려 생태계를 만들겠다고 밝혔다.
삼성전자는 25일 경기 화성캠퍼스에서 '3나노 파운드리 양산 출하식'을 개최했다. 이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사 및 임직원, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여 명이 참석했다.
이날 출하식에서 이 장관은 "국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과"라며 "첨단 반도체 제조시설은 국가 안보자산이기 때문에, 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다"고 언급했다.
삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했다. GAA 구조는 기존 공정과 비교해 전력과 면적은 줄이고 성능은 높일 수 있는 반도체 혁신 기술이다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.
이 장관은 "3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한 만큼, 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 '반도체 플러스 산업'에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립하겠다"며 "'반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 강조했다.