[초격차 경영] 삼성전자, EUV 파운드리 증설…초미세 공정 확대

2030년 비메모리 1위 목표…화성·평택 파운드리 라인 강화

▲경기도에 위치한 삼성전자 나노시티 화성캠퍼스 EUV 라인 전경. (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 지난해 4월 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조 원을 투자하고, 전문인력 1만5000명을 채용한다고 밝혔다.

이는 삼성전자가 2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 달성하기 위한 것이다. 이재용 부회장은 메모리 분야 글로벌 1위 DNA를 바탕으로 ‘2030 비메모리 분야 1위’에 대한 의지를 강조한 바 있다.

삼성전자는 또한 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(반도체 설계 전문업체), 디자인하우스(설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 방침이다.

삼성전자는 2017년 파운드리 사업부를 신설해 사업 전문성을 강화했다. 지난해 최신 파운드리 생산시설인 화성캠퍼스 S3 라인에서 업계 최초로 EUV(극자외선) 기반 7나노 양산을 시작했다.

올해 2월에는 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’을 가동했으며, 이를 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대하고 있다. 5월에는 EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 밝혔다.

삼성전자는 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

또한, 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되며, 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.