이강욱 SK하이닉스 부사장 “생성형 AI 시장 연평균 27%↑...HBM 수요 더 늘 것”

입력 2024-09-03 14:14 수정 2024-09-03 14:33
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HBM 시장 연평균 109% ↑
내년 HBM4 12단 제품 출시
16단에 '하이브리드 본딩' 검토

▲ SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)이 ‘전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024’에서 한국인 최초로 ‘전자제조기술상(Electronics Manufacturing Technology Award)’을 수상했다. (자료제공=SK하이닉스)
▲ SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)이 ‘전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024’에서 한국인 최초로 ‘전자제조기술상(Electronics Manufacturing Technology Award)’을 수상했다. (자료제공=SK하이닉스)

이강욱 SK하이닉스 PKG개발 담당 부사장이 “고대역폭메모리(HBM) 성능 발전에 따라 HBM에 대한 수요도 인공지능(AI) 시장에서 더 늘어날 것으로 전망된다”고 말했다.

이 부사장은 3일(현지시간) 대만 타이베이 난강전시장에서 열린 세미콘 타이완 '이종집적 글로벌 서밋(Heterogeneous Integration Global Summit) 2024'에서 'AI 시대를 위한 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'이란 주제로 발표하며 이같이 밝혔다.

그는 “2023년부터 2032년까지 생성형 AI 시장은 연평균 27% 성장할 것으로 예상된다”며 “HBM 시장은 2022년부터 2025년까지 이미 연평균 109% 성장할 것으로 보인다”고 설명했다.

이 부사장은 “HBM은 AI 서버와 고성능 컴퓨팅용 메모리로 광범위하게 채택되고 있다”며 “응용제품에 따라 다르지만, HBM 세대가 발전하며 훈련, 추론 AI 서버에 탑재되는 평균 채택 숫자도 더 늘어날 것으로 전망”이라고 했다.

그러면서 “2025년에는 HBM4(6세대) 12단 제품도 출시할 예정”이라며 “특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출 측면에서 압도적인 제품 경쟁력을 갖추고 있다”고 덧붙였다.

SK하이닉스는 HBM 제품에 적용한 매스 리플로우 몰디드 언더 필(MR-MUF) 패키징 기술을 적용하고 있다. 낮은 본딩(칩 접합) 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다는 평가다. 열 방출 면에서는 다른 공정보다 30% 이상 성능이 좋다.

이 부사장은 “HBM3(4세대)와 HBM3E(5세대) 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 양산하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 양산할 계획”이라고 했다.

이어 “16단 제품을 위해서는 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획”이라고 덧붙였다. 하이브리드 본딩 방식은 칩을 적층할 때, 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다.

그는 HBM4 이후 세대 제품 개발도 준비하고 있다고 강조했다.

이 부사장은 “HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있다”며 “대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(System in Package) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다”고 말했다.

이어 “HBM4E(7세대)부터는 고객 맞춤형 성격이 강해질 것으로 예상돼 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다”고 했다.

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