삼성 파운드리 2나노 첨단기술로 AI 승부수… 이재용, 美서 글로벌 팹리스 기업과 회동

실리콘밸리서 '삼성 파운드리 포럼 2024' 개최
이재용 부회장 미국 출장서 빅테크 및 팹리스 기업들과 미팅
반도체 역량 총집결해 AI 반도체 시장 주도할 것

▲6월 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)' 현장 (자료제공=삼성전자)

삼성전자가 첨단 인공지능(AI) 반도체 시장 공략을 위해 2027년까지 2나노미터(㎚·10억 분의 1ｍ) 신공정 기술을 도입한다. 1㎚급 공정 계획을 앞당기는 대신 성능을 강화한 2㎚ 공정을 내세웠다. 대만 TSMC에 빼앗긴 AI 반도체 시장의 주도권을 되찾기 위해 ‘승부수’를 띄운 것이란 평가가 나온다.

삼성전자는 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최하고 AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다.

삼성전자는 기존 파운드리 공정 로드맵에서 후면전력공급 기술(BSPDN)을 적용한 2㎚ 공정인 'SF2Z'를 공개했다. 이 기술은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치하는 기술이다. 이를 통해 초미세 공정이 가능해져 업계에선 '게임 체인저'로 꼽힌다.

삼성전자는 이와 함께 또 다른 신규 공정인 4㎚ 'SF4U' 공정 도입도 발표했다. 기존 4㎚ 공정보다 칩을 더 작게 만들면서 성능을 높이는 '광학적 축소' 기술을 적용했다. 내년부터 양산할 예정이다.

삼성전자는 이러한 차세대 파운드리 기술과 더불어 차세대 AI 반도체 개발 및 패키징까지 더한 턴키(일괄) 서비스로 경쟁력을 강화해 나갈 방침이다.

최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능ㆍ저전력 반도체"라며 " AI 반도체에 최적화된 '게이트 올 어라운드(GAA)' 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 강조했다.

▲10일(현지시간) 미국 새너제이에 있는 삼성전자 DSA에서 기념 사진을 촬영하는 모습. 좌측부터 한진만 DSA 부사장, 최시영 파운드리사업부장, 기창(Kee Chang) 퀄컴 CPO, 전영현 DS부문장, 크리스티아노 아몬(Cristiano Amon) 퀄컴 사장 겸 CEO, 이재용 삼성전자 회장, 로아웬 첸(Roawen Chen) 퀄컴 CSCOO, 제임스 톰슨(James Thompson) 퀄컴 CTO, 알리자 로슨(Aleeza Lawson) 퀄컴 Chief of Staff, 이정배 메모리사업부장. (사진제공=삼성전자)

2주 간의 미국 출장을 마치고 13일 귀국하는 이재용 삼성전자 부회장 역시 파운드리 공략에 공을 들이고 있다. 이 회장은 이번 미국 출장기간 중에 글로벌 팹리스 반도체 기업들과도 연이어 만나 파운드리 사업 협력 확대 및 미래 반도체 개발을 위한 제조기술 혁신 등에 대해 의견을 나눴다.

삼성전자는 AI 성능 향상에 필수적인 메모리반도체 분야에서도 고성능·고용량·저전력 제품 라인업을 강화하고 있다. 또 첨단 패키징 기술 개발에도 투자를 확대 중이다. 이를 통해 향후 AI 반도체 시장을 주도한다는 계획이다.

삼성전자는 이 회장의 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"는 철학 아래 대규모 연구개발(R&D) 투자를 지속해왔다.

삼성전자 관계자는 "고객 맞춤형으로 진화하는 차세대 HBM 초격차 달성 등 메모리뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, AVP(Advanced Package)의 차별화된 역량을 총 집결해 경계를 뛰어넘는 혁신을 주도해 나갈 계획"이라고 밝혔다.