[컨콜 종합] SK하이닉스, 올 7조원 최대 투자…3D 낸드 경쟁력 확보

SK하이닉스가 장기적인 경쟁력 강화를 위해 올해 7조 원의 투자를 진행한다. 3D 낸드플래시 생산능력을 위한 낸드 투자를 중심으로 D램 기술력 강화에도 자금을 투입할 계획이다.

김준호 SK하이닉스 경영지원본부 사장은 26일 열린 작년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 “올해 투자는 장기 경쟁력 강화를 위한 추가 클린룸 건설 투자를 포함해 약 7조 원 수준을 예상하고 있다”며 “작년 대비 증가한 투자 금액의 상당 부분은 클린룸 건설과 관련 인프라 투자에 사용될 것”이라고 말했다.

이어 “이를 제외한 투자 금액은 올해와 비슷한 수준이나 D램 투자는 전년 대비 감소하고, 3D 낸드의 생산능력(케파) 증가를 위해 낸드플래시 투자가 전년 대비 증가할 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 올해 수요가 점차 증가하는 3D 낸드플래시의 물량을 올 하반기부터 대폭 확대할 계획이다. 3D 낸드 비중은 지난해 패키지 기준으로 전체 낸드플래시의 10%를 차지했으며 오는 4분기에는 2D 비중을 넘어설 것으로 보인다.

SK하이닉스는 “48단(3D 낸드)는 작년 연말부터 출하 개시했고 비중을 확대하고 있다”며 “올해 상반기 중에 72단 개발 완료를 목표로 하고 있다”고 설명했다. 이어 “3D 낸드 설비 확충은 M14 2층 클린룸이 1분기 중에 완료되면 1분기 말부터 장비 반입 시작하고, 장비 설치 및 웨이퍼 생산 기간 감안하면 6월 이후 생산이 시작될 예정”이라며 “3분기부터 3D 물량 본격적으로 증가할 것으로 예상된다”고 덧붙였다.

특히 SK하이닉스는 도시바 등 경쟁사의 낸드플래시 투자를 강화하고 있는 데 대해 “도시바에 대해서는 현재 상황을 예의주시하고 있다”며 견제했다.

전통적으로 SK하이닉스가 강세를 보인 D램의 경우 작년 하반기부터 본격화된 2Z나노 공정전환을 지속하고 LPDDR4X와 eMCP등 고성능·고수익 제품으로 차질 없이 전환할 예정이다. 특히 중국 스마트폰 OEM들의 eMCP 재고 축적 추세가 지속되지만, 공급 물량이 부족한 만큼 관련 매출 역시 상승세를 계속할 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 또한 차세대 제품인 1X나노 제품을 하반기부터 양산을 시작해 계획이다. SK하이닉스는 “D램은 작년 연말에 2z나노 비중이 40% 넘어섰으며, 올해 연말 60% 이상 확대할 계획”이라며 “1x는 1분기 중에 기술개발 완료, 2분기 중에 샘플링 및 램프업을 완료해서 3분기 중에 양산할 수 있을 것으로 본다”고 말했다.

이날 SK하이닉스는 미국 도널드 트럼프 정부의 보호무역주의 강화에 따른 대응책에 대해 큰 영향이 없을 것이라고 예측했다. 회사 측은 “미국의 보호무역주의 관련 움직임이 아직까지 특별히 없는 걸로 보인다”며 “우리가 판매하는 제품이 저희가 판매하는 것이 부품이기 때문에 영향은 비교적 적을 것으로 조심스럽게 예측하고 있다”고 밝혔다. 이어 “현재 미국에 생산 시설을 짓거나 운영할 계획은 아직까지 없다”고 덧붙였다.