삼성전자가 일본 과학기술진흥기구(JST)와 고성능 박막 트랜지스터에 관한 특허 라이선스 계약을 체결했다고 마이니치신문이 21일(현지시간) 보도했다.
이번에 계약한 고성능 박막 트랜지스터는 고화질 차세대 LCD 디스플레이 실용화의 핵심 반도체 기술로, JST와 도쿄공업대학의 호소노 히데오 교수가 공동으로 발명했다.
이 기술은 실리콘으로 완성된 기존 제품과 달리, 금속 산화물의 유리를 사용해 전자의 이동 효율이 높은 것이 특징이다. 기존의 아몰퍼스(amorphous) 반도체에 비해 전자 이동의 속도가 10~20배에 달해 화질을 10배나 개선시킬 수 있다.
삼성전자는 고성능 박막 트랜지스터 기술을 고화질 대형 LCD 디스플레이를 비롯해 스마트폰 등에 응용해 2012년 이후부터 제품에 반영할 것으로 알려졌다.
삼성전자는 특허권료로 56억엔(약 750억원) 가량을 지불할 전망이다. 지금까지 대학의 연구 성과에 따른 특허 수입은 나고야대학의 아카사키 이사무 교수 팀이 개발한 청색발광다이오드의 56억엔이 최고다.
JST 관계자는 “현재 디스플레이 산업 규모를 감안할 때 호소노 교수팀의 반도체도 이에 필적한 수준이 될 것”이라고 기대했다. 특허권료 수입은 연구비를 제공한 JST와 호소노 교수팀이 나눠 갖게 된다.
신문은 JST는 디스플레이 시장에서 세계 1위인 삼성전자에 특허권을 넘김으로써 국제 무대에서 자국의 기술력을 인정받게 됐다고 전했다.