건국대, 차세대 메모리분야 육성 본격화

계적 석학 2명 외국인 교수 초빙

건국대는 28일 초전도 전자소자 분야 세계적 석학 2명을 올 1학기부터 외국인 교수로 초빙했다고 밝혔다.

이번에 초빙한 해외 석학은 세계 반도체 기업들로부터 많은 연구 수주를 받는 차세대 메모리 소자 분야 권위자인 미국 로스알라모스 국립연구소(Los Alamos National Laboratory)의 종신연구원(fellow)인 콴시 지아(Quanxi Jia) 교수와 일본 동경공과대(Tokyo Institute of Technology)의 히로시 이시와라(Hiroshi Ishiwara) 교수 등 2명이다.

이들 해외석학 초빙은 세계수준의 연구중심대학(WCU World Class University) 육성 사업 일환으로 이뤄졌으며, 이들 교수들은 다음달부터 물리학부 양자 상 및 소자 전공(Quantum phases and Devices) 학부와 대학원 과정 강의, 연구를 맡게 된다.

콴시 지아 교수는 초전도 소자, 차세대 반도체 소자, 광전 소자에 응용할 수 있는 산화물 박막 및 나노 구조를 연구 개발해왔으며 이 과정에서 300편이 넘는 관련 논문을 국제 저널에 발표, 4000회 이상 인용회수를 기록하고 있다.

특히 전 세계 반도체 기업 등으로부터 40여개의 연구과제에 2500만 달러 이상 연구비를 수주했으며, 지난 2008년 미 연방정부로부터 최고 기술이전상(Technology Transfer Award)을 수상하기도 했다.

일본 응용물리학회 회장이기도 한 히로시 이시와라 교수는 메모리 소자 분야 신기술 연구와 관련 지금까지 2100만 달러 이상 연구비를 수주하고 350편이 넘는 논문을 국제 저널에 발표했다.

지난 2006년 일본 전기공학원으로부터 올해의 연구자 상(Outstanding Achievement Award)을 수상하기도 한 광 소자 분야 전문가다.

이들 석학의 초빙으로 WCU 사업인 건국대 물리학부 양자 상 및 소자 전공 외국인 교수는 총 6명으로 늘어났으며 지난해 초빙된 나노물리학과 응용물리학 분야 4명의 해외석학 및 건국대 물리학부 교수들과 함께 양자 현상을 응용한 차세대 메모리 소자 개발 분야 인재 양성과 신기술 개발을 본격화 할 방침이다.