삼성전자, 90나노 고성능 스마트카드 칩 개발

삼성전자가 288KB EEPROM을 내장한 고성능 스마트카드 칩을 개발했다.

이 제품은 EEPROM를 탑재한 스마트카드 칩으로는 최초로 90나노 공정을 적용한 것으로, 삼성전자는 앞선 미세회로 공정 기술력을 입증함과 동시에 올해 말 양산시 원가 경쟁력도 한층 높일 수 있게 됐다.

유럽 등에서 최근 확산되고 있는 모바일 TV 시청을 위해서는 모바일 인증(Mobile ID)과 모바일 결제(Mobile Payment) 기능이 필요한데, 이를 원활히 구동하기 위해서는 수십KB의 추가 메모리 용량과 높은 속도의 암호화 프로세서가 요구된다.

이번에 개발한 제품은 288KB EEPROM과 함께 삼성전자가 자체 개발한 고성능 CPU (16bit CalmRISCTM) 기반에 16.5KB SRAM과 384KB ROM을 탑재하여 저장 용량을 높인 것이 특징이다.

또 최고의 보안 기술을 구현함으로써 사용자 인증작업을 더욱 빠르게 하고 변조나 해킹 방지 등 보안 기능을 대폭 강화했다.

보안성 강화를 위해 적용된 기술은 ▲미국 상무부에서 공표한 암호화 표준 3-DES (3-Data Encryption Standard) ▲비대칭 방식 암호화 표준인 RSA(Rivest Shamir Adleman)/ECC(Elipstic Curve Cryto) ▲삼성전자가 독자 개발한 암호화 프로세서 'Tornado' 등 이다.

삼성전자는 이번에 288KB EEPROM 외에도 72KB/144KB EEPROM이 내장된 스마트카드 칩도 함께 개발함으로써 다양한 고객의 요구에 대응할 수 있는 제품 포트폴리오를 갖추게 됐다.

삼성전자 시스템LSI 사업부 정칠희 전무는 "앞선 미세회로 공정과 보안 프로세서를 적용한 고성능 제품을 지속적으로 선행 개발하고, 다양한 제품 라인업을 제공함으로써 향후 시장을 선도해 나갈 계획"이라고 밝혔다.

삼성전자는 이번에 개발한 90나노 EEPROM 신제품 3종을 이 달부터 국내외 스마트카드 업체에 샘플로 공급하기 시작해 올해 말 본격 양산할 예정이다.

한편 90나노 공정 기술이 적용된 320KB/410KB 플래시메모리 내장형 스마트카드 칩을 올 11월, 12월에 각각 샘플로 공급할 예정이다.

이번에 삼성전자가 개발한 90나노 고성능 스마트카드 칩은 시스템LSI 8대 일류화 제품군에 포함되는 제품으로 1기 일류화 5대 제품과 2기 일류화 3대 제품이다.

삼성전자는 2000년부터 본격적으로 스마트카드 칩 양산에 돌입해 2006년에 세계 최초로 업계 최대 용량인 1GB SIM 카드 제품을 개발했다.

또한 2006년부터 SIM 카드용 스마트카드 칩 분야에서 세계 시장점유율 1위를 유지해오고 있으며 2007년에는 콤비 타입 스마트카드 칩 제품 2종에 대해 CC(Common Criteria) 보안 인증을 획득하는 등 기술 리더십을 증명해 왔다.

시장 조사기관 Frost&Sullivan에 따르면 스마트카드 수요는 올해 약 40억7000만개에서 2012년 약 75억3000만개 규모로 증가, 연평균 약 17% 성장할 전망이다.

삼성전자는 2006년부터 SIM 카드용 스마트카드 칩 분야에서 세계 시장점유율 1위를 유지해오고 있으며 최근 발표된 가트너 등 시장조사기관에 따르면 출하량 기준으로 2007년 스마트카드 칩 전체 시장에서 1위 자리에 올랐다.